NEO Semiconductor анонсировала 3D X-DRAM для повышения плотности ОЗУ

Американская компания NEO Semiconductor представила прототип 3D X-DRAM, что может стать значительным шагом к повышению плотности хранения оперативной памяти. Продукт обещает решить проблему нехватки ОЗУ и привлечь внимание крупных производителей.

• NEO Semiconductor создала прототип 3D X-DRAM как доказательство концепции.
• Компания уже ведет активные переговоры с ведущими производителями памяти.
• Стэн Ши, основатель Acer, стал ключевым инвестором проекта.
• Тестирование образца проводилось в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников.
• Задержка чтения/записи нового решения составляет менее 10 нс.

Потенциал 3D X-DRAM

По информации разработчиков, стековая компоновка DRAM в сочетании с широкой шиной данных в 32 000 бит позволяет достигнуть плотности записи в 512 Гбит на кристалл. Это обеспечивает пропускную способность, в 16 раз превышающую возможности текущей HBM.

Поддержка от ведущих экспертов

Важным моментом для NEO Semiconductor стало сотрудничество с известными учебными заведениями Тайваня. Прототип был изготовлен в Тайваньском институте полупроводников, что подтверждает качество и научный подход к разработке.

Согласно заявлениям Джека Сана, старшего вице-президента Нью-Йоркского университета, успешное тестирование 3D DRAM подчеркивает возможность внедрения современных технологий памяти с использованием проверенных производственных процессов. Ожидается, что NEO Semiconductor сможет предложить свою память в ближайшее время, в то время как развитие стандартов HBM затянется до середины века.